腦電圖性能模擬儀

腦電圖性能模擬儀SEEG100E，專為醫(yī)療標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試所設(shè)計(jì)的 EEG 腦電性能測(cè)試儀，符合 IEC 80601-2-26:2019 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，適用于研發(fā)、醫(yī)療標(biāo)準(zhǔn)符合性及產(chǎn)線測(cè)試。

產(chǎn)品型號(hào)：SEEG100E
廠商性質(zhì)：代理商
更新時(shí)間：2026-05-31
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詳細(xì)介紹

腦電圖性能模擬儀

SEEG 100E腦電性能測(cè)試儀介紹

腦電圖性能模擬儀SEEG100E，專為法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試所設(shè)計(jì)的EEG腦電性能測(cè)試儀，符合IEC 80601-2-26:2019國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，適用于研發(fā)、法規(guī)符合性及產(chǎn)線測(cè)試

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

腦電圖性能模擬儀SEEG100E，專為法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試所設(shè)計(jì)的EEG腦電性能測(cè)試儀，符合IEC 80601-2-26:2019 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，適用于研發(fā)、法規(guī)符合性及產(chǎn)線測(cè)試

產(chǎn)品特點(diǎn)

1.為法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試所設(shè)計(jì)的EEG腦電性能測(cè)試儀，符合IEC 80601-2-26:2019國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，適用于研發(fā)、法規(guī)符合性及產(chǎn)線測(cè)試；

2.依據(jù)較新的EEG國(guó)際法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)IEC 80601-2-26:2019所設(shè)計(jì)；

3.電路設(shè)計(jì)，可輸出1µV微小訊號(hào)；

4.9通道自動(dòng)切換開關(guān)可作個(gè)別信道的性能測(cè)試；

5.內(nèi)建620kΩ/4.7nF輸出阻抗測(cè)試的EEG標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試電路；

6.良好的屏蔽與接地設(shè)計(jì)讓訊號(hào)輸出更加準(zhǔn)確；

7.可做為EEG訊號(hào)撥放器，可撥放PhysioNet EDF、text、binary格式的波型訊號(hào)；

8.IEC 80601-2-26小幫手可簡(jiǎn)化法規(guī)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試所需花費(fèi)的人力與時(shí)間。

規(guī)格

參數(shù)	規(guī)格
主輸出電壓精確度	50 µVpp 或更高的振幅，精細(xì)度需在 ±1％內(nèi)
主輸出電壓分辨率（DAC 分辨率）	0.5µV
頻率/脈沖精確度	±1%
脈沖間期/時(shí)間精確度	±1ms
電阻精確度	±1%
電容精確度	±5%
精密 500:1 分壓器	±0.2%
取樣率	5kHz ± 0.1%
直流偏移（內(nèi)部超級(jí)電容提供的固定電壓、無噪聲偏移）	150mV ± 1%
直流偏移（細(xì)調(diào)，最多可包含 50μVpp 噪聲）	設(shè)定 ±1% 或 ±3mV
電源供應(yīng)	USB +5V 直流電源（不需要再外加其他電源）0.5A（高功率模式）
環(huán)境	15 ~ 30°C（理論值） 30 ~ 80% RH（理論值）
安全性電磁兼容性（EMC）	沒有適用的安全標(biāo)準(zhǔn)（最大內(nèi)部電壓 12Vdc）尚未進(jìn)行 EMC 測(cè)試。符合 CE 標(biāo)志，并有作 USB IC 的保護(hù)，及特殊的濾波器，以減少來自微處理器（8MHz）和 DC / DC 轉(zhuǎn)換器（200kHz）的噪聲。